最高覆盖5.2μm，峰值灵敏度1.05-1.45 A/W，标准型号多样的红外探测器
众所周知，1μm至2.5μm的近红外范围（NIR）和2.5μm以上的中红外范围（MIR）的红外探测器是有区别的，为此Laser Components推出了包含所有工作模式的InGaAs PIN光电二极管、InAs光电二极管以及PbS和PbSe检测器。以下是LC红外探测器的具体分类介绍：
InGaAs PIN光电二极管：
现代InGaAs PIN光电二极管具有全色性，可将宽带光转换为可见光和近红外波段的光电流。具体来说，这意味着普通InGaAs的灵敏度范围为500nm到1700nm，而扩展InGaAs的灵敏度范围则可递增到2600nm。值得注意的是InGaAs光电二极管的数据传输的变化不是全色的。
红外光InGaAs光电二极管的主要应用：
-光谱学（尤其是近红外傅立叶变换红外光谱）
-激光监测
-非接触式温度测量
-可调谐二极管激光光谱（TDLS）
-分光光度法，例如用于测量水分
-分拣应用
-火焰调节
红外光电二极管InGaAs探测器的主要特点：
-峰值灵敏度从1.05A/W -1.4 A/W
-高动态范围
-线性度高
-灵敏度的温度系数低至 0.01%/K
-全色性，即在可见光和近红外范围内均有灵敏度
红外二极管探测器InGaAs探测器系列根据标称截止波长的不同分为IG17、IG22和IG26，分别对应1.7μm、2.2μm和2.6μm的截止波长。该红外光InGaAs光电二极管系列的开发重点是量子效率，专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计，在宽光谱范围内具有出色的并联电阻和卓越的响应性。
型号 | 直径 μm | 50%截止波长 μm | 峰值波长 μm | 峰值响应 A/W | 响应@520nm A/W | 响应@1300nm A/W | 响应@1500nm A/W |
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| Typ. | Min. | Typ. | Min. | Typ. | Min. | Typ. | Min. | Typ. |
IG17X080S4i | 80 | ≥1.65±0.1 | 1.55 | 0.9 | 1.05 | TBD | 0.1 | 0.77 | 0.91 | 0.8 | 1.0 |
IG17X250S4i | 250 |
IG17X500S4i | 500 |
IG17X1000S4i | 1000 |
IG17X1300S4i | 1300 |
IG17X2000G1i | 2000 |
IG17X3000G1i | 3000 |
IG22X080S4i | 80 | ≥2.15 | 1.95±0.1 | 1.15 | 1.40 | TBD | 0.1 | 0.74 | 0.92 | 0.87 | 1.09 |
IG22X250S4i | 250 |
IG22X500S4i | 500 |
IG22X1000S4i | 1000 |
IG22X1300S4i | 1300 |
IG22X2000G1i | 2000 |
IG22X3000G1i | 3000 |
| Typ. | @1600nm | @1900nm |
IG26X250S4i | 250 | ≥2.45 | 2.25±0.1 | 1.35 | 1.50 | 0.1 | 0.7 | 1.0 | 1.08 | 1.36 |
IG26X500S4i | 500 |
IG26X1000S4i | 1000 |
IG26X1300S4i | 1300 |
IG26X2000G1i | 2000 |
IG26X3000G1i | 3000 |
注：参数在 T=25°C 时进行批量测试
在OV偏压下测量的响应度。
数据为窗口整合前的数据。
初步数据。
红外InAs光电二极管：
Laser Components生产的InAs光电二极管覆盖900nm至3500nm的范围。IA35系列探测器是红外光InGaAs光电二极管IG26系列扩展型InGaAs 光电二极管的光谱补充。红外InAs光电二极管IA35系列探测器是光伏探测器，有效区域直径为500μm。
红外InAs光电二极管IA35S500S4i 是一款高质量且价格合理的组件。与传统红外探测器制造商的InAs产品相比，它同时在四倍面积上提供双倍分流电阻。
InAs光电二极管IA35系列的主要应用：
-非接触式温度测量
-激光监测
-分光光度计
IA35系列红外探测器APD的主要特点：
-峰值灵敏度：≥1.05A/W
-峰值灵敏度80%时的典型光谱范围：约90 nm至约3500nm
-分流电阻：典型值为700Ω
型号 | 直径 μm | 20%截止波长 μm | 峰值波长 μm | 峰值响应 A/W | 响应@900nm A/W | 响应@2800nm A/W | 响应@3200nm A/W |
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| Typ. | Min. | Typ. | Min. | Typ. | Min. | Typ. | Min. | Typ. |
IA35S500S4i | 500 | 3.5 | 2.8 | 0.95 | 1.08 | n.a. | 0.1 | 0.95 | 1.05 | n.a. | 0.9 |
注：按批次测试的参数，100%测试的参数。
PbS和PbSe检测器：
PbS 是标准的SWIR半导体探测器 （1-3.3μm），而PbSe用于MWIR范围（未冷却时为1-4.7μm;冷却时高达5.2μm）。Laser Components的铅盐检测器是光电导的，在照明过程中，探测器电阻会降低，晶体结构为多晶，通过化学沉积产生。
光电导探测器的电阻取决于入射光。PbSe具有特别强的内光电效应：当红外光到达硒化铅检测器时，电阻降低。红外二极管探测器可以在波长高达4.7μm的非制冷条件下使用。在室温下，红外光电二极管的检测率 D*大于1010。在低温下，它们可以达到更高的性能水平，波长偏移至5.2μm。PbSe光电探测器在高灵敏度和良好的时间常数下具有良好的性价比。
PbSe光电探测器可分为PbSe亚硒化铅红外探测器PB45系列、PbSe 硒化铅红外TE冷却探测器PB50系列和PbSe 硒化铅红外TE Ultimate冷却探测器PB55系列。
型号 | 元件尺寸 mm | 孔径尺寸 mm | 特点 | 20%截止波长μm | 峰值 波长μm | 峰值响应度 V/W | 时间常数 μs | 可选软件包版本 |
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| Typ. | Typ. | Min. | Typ. | Typ. | Max. |
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PB45S10104S | 1X1 | Dia.3 | TO-46 | 4.7 | 4.0 | 21000 | 42000 | 4 | 10 | TO-39 Short cap |
PB45S20209S | 2X2 | Dia.6.35 | TO-39 Short cap | 10500 | 21000 | Medium cap |
PB45S30309S | 3X3 | Dia.6.35 | 7000 | 14000 |
PB45S50508M | 5X5 | Dia.9.53 | TO-8 Medium cap | 4200 | 8400 |
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PB45S60608M | 6X6 | Dia.9.53 | 3500 | 7000 |
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| Min |
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| 封装 |
PB50S1010T17M | 1X1 | Dia.6.35 | 1 stage cooling (max 1.6W) | 4.8 | 4.2 | 48000 | 72000 | 8 | 20 | TO-37 Medium cap |
PB50S2020T17M | 2X2 | 24000 | 36000 |
PB50S3030T17M | 3X3 | 16000 | 24000 |
PB50S1010T26L | 1X1 | Dia.9.53 | 2 stage cooling (max 1.4W) | 4.9 | 4.3 | 79000 | 120000 | 10 | 25 | TO-8 flange large cap |
PB50S2020T26L | 2X2 | 39500 | 60000 |
PB50S3030T26L | 3X3 | 263000 | 40000 |
PB55S1010T2S6L | 1X1 | 2 stage cooling (max 3W) | 5.2 | 4.6 | 120000 | 180000 | 12 | 30 |
PB55S2020T2S6L | 2X2 | 60000 | 90000 |
PB55S3030T2S6L | 3X3 | 40000 | 60000 |
PB55S5050T2S6L | 5X5 | 24000 | 36000 |
PB55S6060T2S6L | 6X6 | 20000 | 30000 |
红外二极管探测器PbS探测器的灵敏度比PbSe光电探测器高一个数量级以上，但是，时间常数更长。IV-VI半导体PbS是一种光电探测器，可对入射红外辐射做出反应并改变其电阻。这些探测器尤其适用于需要大面积探测器的情况，因为它们比同类InGaAs探测器便宜得多。LASER COMPONENTS标准探测器的典型芯片尺寸为2 mm x 2 mm。其他配置也可根据要求提供。
红外光电二极管PbS探测器也分为三类：铅硫化铝红外探测器PB系列、PbS硫化铝红外TE冷却探测器PB27系列和PbS硫化铝红外 TE终极冷却探测器PB30系列。
型号 | 元件尺寸 mm | 孔径尺寸 mm | 特点 | 峰值响应度 V/W ac | 噪音密度 rms |
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| Min. | Typ. | 90Hz Typ. | 650Hz Typ. |
PB25S10104S | 1X1 | Dia.3 | TO-46, short cap | 560000 | 800000 | 4.2 | 1.4 |
PB25G10104 | 1X1 | Dia.3.81 | TO-46, glass cap |
PB25S10109S | 1X1 | Dia.6.35 | TO-39, short cap |
PB25G10109 | 1x1 | Dia.6.6 | TO-39, glass cap |
PB25G10254 | 1x2.5 | Dia.3.81 | TO-46, glass cap | 220000 | 330000 | TBD | TBD |
PB25G10259 | 1x2.5 | Dia.6.6 | TO-39, glass cap |
PB25S20209S | 2x2 | Dia.6.35 | TO-39, short cap | 280000 | 400000 | 4.2 | 1.4 |
PB25G20209 | 2x2 | Dia.6.6 | TO-39, glass cap |
PB25S30309S | 3x3 | Dia.6.35 | TO-39, short cap | 185000 | 260000 | TBD | TBD |
PB25G3030 | 3x3 | Dia.6.6 | TO-39, glass cap |
PB25G20509 | 2x5 | Dia.6.6 | TO-39, glass cap | 80000 | 12000 |
PB25G38389 | 3.8x3.8 | Dia.6.6 | TO-39, glass cap | 115000 | 172000 |
PB25S50508M | 5x5 | Dia.9.53 | TO-8,medium cap | 110000 | 160000 |
PB25S60608M | 6x6 | Dia.9.53 | TO-8,medium cap | 90000 | 140000 |
PB25G20209X-Si | 2x2 | Dia.6.35 | Si-Sandwich | 280000 | 400000 | 4.2 | 1.4 |
型号 | 元件尺寸 mm | 孔径尺寸 mm | 特点 | 20%截止波长μm | 峰值 波长μm | 峰值响应度 V/W | 时间常数 μs | 封装 |
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| Min |
| Typ. | Typ. | Min. | Typ. | Typ. | Max. |
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PB27S1010T17M | 1x1 | Dia.6.35 | 1 stage cooling (max 1.6W) | 3.3 | 2.6 | 1300000 | 1950000 | 800 | 1600 | TO-37, medium cap |
PB27ST17M | 2x2 | 650000 | 975000 |
PB27ST17M | 3x3 | 430000 | 650000 |
PB27ST1S6M | 5x5 | Dia.9.5 | 260000 | 390000 | TO-8 flange, medium cap |
PB27ST1S6M | 6x6 | 215000 | 325000 |
PB27S2020T26L | 2x2 | 2 stage cooling (max 1.4W) | 660000 | 1000000 | 1250 | 2500 | TO-8 flange, large cap |
PB27S3030T26L | 3x3 | 440000 | 660000 |
PB30S1010T2S6L | 1x1 | 2 stage cooling (max 3W) | 3.4 | 2.7 | 1500000 | 2200000 | 1750 | 3500 |
PB30S2020T2S6L | 2x2 | 750000 | 1100000 |
PB30S3030T2S6L | 3x3 | 500000 | 730000 |
PB30S6060T2S6L | 6x6 | 3.3 | 2.6 | 240000 | 3600000 |
